IT之家 8 月 2 日消息，英特尔目前似乎正全力推动其俄亥俄州晶圆厂综合体建设，并计划在 2031 年实现全面运营。为了达成这一长期目标，公司愿意提供丰厚奖金以激励员工加快进度。与此同时，英特尔的 EMIB-T 先进封装技术也迎来了利好，目前唯一尚未解决的关键问题，就是基板良率。

英特尔正在俄亥俄州建设一座占地约 1000 英亩（IT之家注：约 405 公顷）的大型晶圆厂园区，用于生产其“埃米时代”（Angstrom era）制程节点，包括 18A 和 14A 工艺。

为了加快这一关键园区的建设进度，据称英特尔目前正在发放高额加班奖金，希望推动该园区最终在 2031 年实现 14A 工艺的大规模量产。

与此同时，近期有消息称，台积电正在研发一种类似 EMIB 的先进封装方案，以作为其体积更大的 CoWoS-L 产品的补充。

英特尔的 EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术，是通过将微小的硅桥直接嵌入有机基板中，在单个处理器封装内部连接多个硅芯片（Chiplet）。该技术只需要在芯粒与硅桥连接的边缘区域布置高密度微凸点，从而实现芯片之间的高速互联。

而 EMIB-T 则进一步升级了这一方案，在嵌入式硅桥中加入了贯穿硅通孔（TSV）。这些垂直互连通道能够让电力和高速信号直接从封装底部穿过硅桥，并传输至上方堆叠的处理器或内存，实现三维芯片堆叠。

需要注意的是，英特尔 EMIB-T 的成本大约比台积电 CoWoS 低 50%。

因此，英特尔目前预计将在 2027 年开始大规模提供 EMIB-T 封装服务，而该技术的封装良率已经接近 90%。不过，目前仍存在一个尚未解决的问题，那就是基板良率，目前仍停留在约 50%。

作为补充说明，英特尔 EMIB-T 所使用的基板主要包括以下几个部分：

首先是基础有机基板面板，其中包含经过精密钻孔加工、用于放置硅桥的凹槽。这部分主要由 Ibiden（核心供应商）、Shinko、Unimicron 和 AT&S 等厂商制造。

其次是介电层堆叠结构，即直接覆盖在嵌入式硅桥上方的绝缘层，采用业界标准的味之素积层膜（ABF）。

最后是包含 TSV 结构的硅桥本身，用于实现垂直方向的电力和信号传输。

目前，正是这一基板环节拖慢了英特尔扩大 EMIB-T 封装服务规模的计划。尽管如此，基板供应商 Unimicron 最近再次表示，EMIB-T 仍处于早期发展阶段，目前的重点任务是快速提升产能并改善良率。